双向IGBT是业内根据常规IGBT在各种运用中存在的一些不足，提出了一种五层四段结构的新型双向IGBT功率半导体器件，其核心是以平面栅型IGBT为基础，通过对新器件采取对称机构和两路输入控制的方法，从而达到对新器件双向控制的目的。双向IGBT模块是实现高频矩阵变换器极为有效的方法。略不同于硬开关PWM变换器,矩阵变换器中的开关和传导损耗取决于所选的调制策略。

IGBT结构图

  双向IGBT可实现双向导通和双向阻断，其正反向阻断电压可以做到同样水平，更适合矩阵式变换器中。可以节省两个二极管。其结构示意图如下图所示。从双向IGBT的静态特性和动态特性，可以得出一个结论，即双向IGBT的电学特性在两个方向上都具有良好的对称性。从下图中可以看出，当Ice =2A时，器件的顶部和底部正向电压分别为Vce=4.4V，Vce=4.2V。器件顶部和底部的正向电压不匹配，不匹配率大约为4.6%。